Полная версия

Главная arrow Технические arrow Электротехника arrow
Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ

Выводы:

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов.

Нами были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора. Расхождения (в сторону ухудшения) составляют не более %

Нами также были выбраны технология изготовления транзистора, его корпус и материалы, применяемые в призводстве.

Список используемой литературы

  • 1. В.И. Торопчин, Расчет и проектирование маломощных биполярных транзисторов, Саратов, 1988г, 213с.
  • 2. Н.Н Горюнов, Справочник по полупроводниковым приборам, Москва,«Энергия», 1977г,65 с.
  • 3. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы, Москва, «Высшая школа»,1979г,120 с.
 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ