Полная версия

Главная arrow Технические arrow Электротехника arrow
Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Задача: определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ.

1. Дифференциальное сопротивление эмитера:

(27),

= 1,438889 Ом.

2. Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления и диффузионного сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта :

(28).

Сопротивления можно найти по формуле:

(29),

Для центрального расположения :

(30),

= 26,82607 Ом

Для центральной части выводов эмиттера и базы:

(31),

где = 0.004245Омсм,

= 48,10962 Ом

=74,93569

Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно:

(32),

= 110,3175

Для сплавно-диффузионных транзисторов << , поэтому не учитывается:

= 36 Ом.

3. Сопротивление коллектора.

Задача: определить диффузионное и омическое сопротивление коллектора.

Для плавного коллекторного перехода:

(33),

где параметр Lok находится по формуле:

= 9.84 10-3 см (34),

= 1,932747*10-4 мкм (35),

rk = 3,232326*107 Ом,

= 2,475851 Ом.

4. Граничные частоты.

Определив величины зарядных емкостей переходов и сопротивлений ЭС, зная время пролета базы ННЗ можно найти величину fa:

fa = [2p(tпр + Сзэ rэ + Сзк rб)]-1 (36),

где, rэ=1,438889, Сэ=1,677762*10-11

fa = 103,7305 МГц.

Найдём величину максимальной частоты генерации, воспользовавшись выражением (37):

fmax = (37),

fmax = 150,7364 МГц.

Рассчитаем граничную частоту коэффициента передачи тока в схеме ОЭ по формуле (38)

МГц. (38)

 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>