Полная версия

Главная arrow Технические arrow Электротехника arrow
Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>

Параметры, выбранные самостоятельно.

  • 1. Время жизни ННЗ τср=5мкс
  • 2. Материал кристалла Ge
  • 3. Тип структуры p-n-p
  • 4. Ёмкость коллекторного перехода Ск=2пФ
  • 5. Коофициент запаса по частоте F Х1=1,3
  • 6. Перепад Nб Х2= 500
  • 7. Отношение концентраций NОЭ/ Nб=3
  • 8. Толщина диффузионного слоя hдс= мкм
  • 9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек= слус

Перечень используемых обозначений

Ak - площадь коллектора;

Аэ - площадь эмитера;

a - градиент концентрации примесей;

- отношение подвижностей электронов и дырок;

Сз.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;

Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;

Сз.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;

Дп, Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок;

Днб, Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;

Днэ, Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;

Е — напряженность электрического поля;

De - ширина запрещенной зоны;

¦ - частота;

¦a - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;

¦Т » ¦b - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером;

¦max - максимальная частота генерации;

hkp - толщина кристалла;

hэ, hk — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;

Ln, Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок;

Lнб, Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;

Nб, Nk, Nэ — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;

Nб(х) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;

Nэ(x) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора;

ni - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике;

nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;

Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Рэ - периметр эмитера;

Рn, Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа;

Rб, Rэ, Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;

Rm, - тепловое сопротивление;

rб - эквивалентное сопротивление базы;

rб, rб’’ - омическое и диффузное сопротивление базы;

rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле;

rэ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;

S — скорость поверхностной рекомбинации;

Т — абсолютная температура;

Тк — температура корпуса транзистора;

Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода;

W - геометрическая толщина базы;

Wg — действующая толщина базы;

Uэб - напряжение эмитер-база;

Uкб - напряжение коллектор-база;

Ukpn - контактная разность потенциалов;

Uпроб - напряжение пробоя;

Uпрок - напряжение прокола транзистора;

Uк - напряжение коллекторного перехода;

Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе;

Iэ — ток эмитера;

Iб — ток базы;

Iко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;

Ikmax - максимально допустимый ток коллектора;

Iген - ток термогенерации в области объемного заряда;

Iрек — ток рекомбинации;

a - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

aо - низкочастотное значение a;

b — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером;

g — коэффициент инжекции эмитера;

бк — толщина коллекторного перехода;

e - относительная диэлектирическая проницаемость;

cо – коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы;

mэ, mб – подвижности электронов и дырок;

mнб, mоб – подвижности не основных и основных носителей заряда в базе;

mнэ, mоэ – подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере;

w - круговая частота;

r - удельное сопротивление полупроводника;

ri - удельное сопротивление собственного полупроводника;

rэ, rб, rк - удельные сопротивления эмитера, базы, коллектора;

tn,p – среднее время жизни электронов и дырок

ttnp – время пролета не основных носителей заряда через базу;

tn – среднее время жизни носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией;

s - удельная теплопроводность;

 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>